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ST Microelectronics – 800V MOSFET系列在開(kāi)關(guān)電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用中

2018年9月26日來(lái)源：愛(ài)上你上群攻瀏覽 1455 次評(píng)論 0 次

ST Microelectronics – 800V MOSFET系列在開(kāi)關(guān)電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用中提供低導(dǎo)通電阻

意法半導(dǎo)體的STx7N80K5是一系列800V N溝道功率MOSFET，可幫助設(shè)計(jì)人員在開(kāi)關(guān)電源中實(shí)現(xiàn)高效轉(zhuǎn)換器電路。

該高壓MOSFET系列利用了意法半導(dǎo)體的MDmesh? K5工藝技術(shù)，該技術(shù)基于創(chuàng)新的專有垂直結(jié)構(gòu)。該制造技術(shù)生產(chǎn)的器件具有非常低的導(dǎo)通電阻和超低的柵極電荷。這些MOSFET提供具有競(jìng)爭(zhēng)力的導(dǎo)通電阻和電路板占位面積，適用于要求高功率密度和效率的應(yīng)用。

因此其應(yīng)用主要有：開(kāi)關(guān)電源

在STx7N80K5系列中，最大導(dǎo)通電阻的額定值為1.2Ω。該器件可以處理6A的最大連續(xù)漏極電流，在110°C的外殼溫度下功耗為110W。

STx7N80K5系列特性主要表現(xiàn)為：

1）4V柵極閾值電壓

2）100％雪崩測(cè)試

3）齊納保護(hù)

在640V電壓、6A漏極電流時(shí)，總柵極電荷的額定值為13.4nC。

該800V系列有三款器件：

1）采用表面貼裝DPAK封裝的STD7N80K5

2）采用帶插片TO-220通孔封裝的STP7N80K5

3）采用IPAK通孔封裝的STU7N80K5

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